Transistors MOSFET Simple

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Min. / Max. Courant de drain Id
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Min. / Max. Tension, mesure Rds
Min. / Max. Tension de seuil Vgs
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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG - MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK

3367857

MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK

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Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3367857
3367857RL en Mise en bobine

1+ 2,02 € 10+ 1,61 € 100+ 1,20 € 250+ 1,14 € 500+ 1,03 € 1000+ 0,838 € Plus de tarifs

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Canal N 40V 368A 600µohm LFPAK - 10V 2V 180W 8Broche(s) 175°C - -
NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG - MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK

3367857RL

MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3367857RL
3367857 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,61 € 100+ 1,20 € 250+ 1,14 € 500+ 1,03 € 1000+ 0,838 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal N 40V 368A 600µohm LFPAK - 10V 2V 180W 8Broche(s) 175°C - -