Transistors MOSFET Simple

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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SIHP15N50E-GE3
SIHP15N50E-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220AB, Traversant

2471943

MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220AB, Traversant

VISHAY

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Pièce

1+ 1,71 € 10+ 1,31 € 100+ 1,05 € 250+ 1,01 € 500+ 0,978 € 1000+ 0,773 € Plus de tarifs

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Canal N 500V 14.5A 0.243ohm TO-220AB Traversant 10V 4V 156W 3Broche(s) 150°C E Series -
SIHB15N50E-GE3
SIHB15N50E-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

2471938

MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

VISHAY

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Bandes découpées
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2471938RL en Mise en bobine

1+ 2,16 € 10+ 1,68 € 100+ 1,33 € 250+ 1,23 € 500+ 1,13 € 1000+ 0,969 € Plus de tarifs

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 500V 14.5A 0.243ohm TO-263 (D2PAK) Montage en surface 10V 4V 156W 3Broche(s) 150°C E Series -
SIHB15N50E-GE3
SIHB15N50E-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

2471938RL

MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2471938RL
2471938 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,68 € 100+ 1,33 € 250+ 1,23 € 500+ 1,13 € 1000+ 0,969 €

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Min: 10 Mult: 1
Canal N 500V 14.5A 0.243ohm TO-263 (D2PAK) Montage en surface 10V 4V 156W 3Broche(s) 150°C E Series -
SIHA15N50E-GE3
SIHA15N50E-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Traversant

2932903

MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Traversant

VISHAY

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Pièce

1+ 1,87 € 10+ 1,41 € 100+ 1,09 € 250+ 1,02 € 500+ 0,947 € 1000+ 0,868 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 500V 14.5A 0.243ohm TO-220FP Traversant 10V 4V 33W 3Broche(s) 150°C E Series -
FDS6676AS
FDS6676AS - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

2454157

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2454157
2454157RL en Mise en bobine
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5+ 0,882 € 10+ 0,717 € 100+ 0,468 €

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Canal N + Schottky 30V 14.5A 0.0045ohm SOIC Montage en surface 10V 1.5V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -
FDS6676AS
FDS6676AS - MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

2454157RL

MOSFET de puissance, Canal N + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2454157RL
2454157 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Disponible jusqu'à épuisement du stock

10+ 0,717 € 100+ 0,468 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 5
Canal N + Schottky 30V 14.5A 0.0045ohm SOIC Montage en surface 10V 1.5V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -
SIHA15N50E-E3
SIHA15N50E-E3 - MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Traversant

2471935

MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Traversant

VISHAY

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Pièce

Article restreint
Canal N 500V 14.5A 0.243ohm TO-220FP Traversant 10V 4V 33W 3Broche(s) 150°C E Series -
FDS6673BZ
FDS6673BZ - MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Montage en surface

2101409

MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce

Article restreint
Canal P 30V 14.5A 0.0065ohm SOIC Montage en surface 10V 1.9V 1W 8Broche(s) 150°C - -
IRF7809AVPBF
IRF7809AVPBF - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 14.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Montage en surface

9102833

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 14.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Montage en surface

INFINEON

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Pièce

Article restreint
Canal N 30V 14.5A 0.007ohm SOIC Montage en surface 4.5V 1V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -