Transistors MOSFET Simple

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Min. / Max. Polarite transistor
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Min. / Max. Courant de drain Id
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Min. / Max. Type de boitier de transistor
Min. / Max. Montage transistor
Min. / Max. Tension, mesure Rds
Min. / Max. Tension de seuil Vgs
Min. / Max. Dissipation de puissance Pd
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Polarite transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Resistance Rds(on) Type de boitier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Temperature de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
TP2540N8-G
TP2540N8-G - MOSFET de puissance, Canal P, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Montage en surface

2851587RL

MOSFET de puissance, Canal P, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Montage en surface

MICROCHIP

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2851587RL
2851587 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

1+ 1,31 € 25+ 1,09 € 50+ 1,05 € 100+ 0,999 € 250+ 0,979 € 500+ 0,959 € Plus de tarifs

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Canal P 400V 125mA 19ohm TO-243 Montage en surface 10V 2.4V 1.6W 3Broche(s) 150?C - -
TP2540N8-G
TP2540N8-G - MOSFET de puissance, Canal P, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Montage en surface

2851587

MOSFET de puissance, Canal P, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Montage en surface

MICROCHIP

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Bandes découpées
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Suggestion de remplacement pour :2851587
2851587RL en Mise en bobine

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Min: 1 Mult: 1
Canal P 400V 125mA 19ohm TO-243 Montage en surface 10V 2.4V 1.6W 3Broche(s) 150?C - -