Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)

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Configuration de MOSFET Polarité transistor Courant de drain Id Tension Vds max.. Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Nombre de broches Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Température de fonctionnement max.. Gamme de produit
 
 
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FF2MR12KM1HOSA1
FF2MR12KM1HOSA1 - MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Double canal N, 500 A, 1.2 kV, 2.13 ohm, Module

3515815

MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Double canal N, 500 A, 1.2 kV, 2.13 ohm, Module

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Demi-pont Double canal N 500A 1.2kV 2.13ohm Module - 15V 4.5V - 150°C CoolSiC C-Series
FF2MR12KM1PHOSA1
FF2MR12KM1PHOSA1 - MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Double canal N, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module

3516928

MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Double canal N, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module

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1+ 725,55 € 5+ 676,20 €

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Demi-pont Double canal N 500A 1.2kV 0.00213ohm Module - 15V 4.5V - 150°C CoolSiC C Series