Transistors MOSFET Double

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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
FDS8958B
FDS8958B - MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.021 ohm, SOIC, Montage en surface

2454159

MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.021 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Bandes découpées
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2454159RL en Mise en bobine

5+ 0,679 € 10+ 0,542 € 100+ 0,252 € 2500+ 0,225 € 7500+ 0,221 € 20000+ 0,216 € 37500+ 0,212 € Plus de tarifs

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Complémentaire canal N et P 30V 6.4A 0.021ohm SOIC Montage en surface 10V 2V 2W 8Broche(s) 150°C - -
SI7923DN-T1-GE3
SI7923DN-T1-GE3 - MOSFET double, Canal P, 30 V, 6.4 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface

3126509

MOSFET double, Canal P, 30 V, 6.4 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
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3126509RL en Mise en bobine

1+ 1,42 € 10+ 1,12 € 100+ 0,837 € 500+ 0,726 € 1000+ 0,554 € 5000+ 0,551 € Plus de tarifs

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Canal P 30V 6.4A 0.075ohm PowerPAK 1212 Montage en surface 4.5V 1V 1.3W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
FDS8958B
FDS8958B - MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.021 ohm, SOIC, Montage en surface

2454159RL

MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.021 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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2454159 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,252 € 2500+ 0,225 € 7500+ 0,221 € 20000+ 0,216 € 37500+ 0,212 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 150 Mult: 5
Complémentaire canal N et P 30V 6.4A 0.021ohm SOIC Montage en surface 10V 2V 2W 8Broche(s) 150°C - -
SI7923DN-T1-GE3
SI7923DN-T1-GE3 - MOSFET double, Canal P, 30 V, 6.4 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface

3126509RL

MOSFET double, Canal P, 30 V, 6.4 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface

VISHAY

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Mise en bobine
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Suggestion de remplacement pour :3126509RL
3126509 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,12 € 100+ 0,837 € 500+ 0,726 € 1000+ 0,554 € 5000+ 0,551 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal P 30V 6.4A 0.075ohm PowerPAK 1212 Montage en surface 4.5V 1V 1.3W 8Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
ZXMC3A16DN8TA
ZXMC3A16DN8TA - MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.035 ohm, SOIC, Montage en surface

7564953

MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.035 ohm, SOIC, Montage en surface

DIODES INC.

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Bandes découpées
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7564953RL en Mise en bobine
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Complémentaire canal N et P 30V 6.4A 0.035ohm SOIC Montage en surface 10V 1V 2.1W 8Broche(s) 150°C - -
ZXMC3A16DN8TA
ZXMC3A16DN8TA - MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.035 ohm, SOIC, Montage en surface

7564953RL

MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 6.4 A, 0.035 ohm, SOIC, Montage en surface

DIODES INC.

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Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :7564953RL
7564953 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Complémentaire canal N et P 30V 6.4A 0.035ohm SOIC Montage en surface 10V 1V 2.1W 8Broche(s) 150°C - -