Transistors MOSFET Double

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= 590mA
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Min. / Max. Polarité transistor
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Min. / Max. Courant de drain Id
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Min. / Max. Type de boîtier de transistor
Min. / Max. Montage transistor
Min. / Max. Tension, mesure Rds
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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ - MOSFET double, Canal N, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, DFN1010B, Montage en surface

2498567

MOSFET double, Canal N, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, DFN1010B, Montage en surface

NEXPERIA

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2498567
2498567RL en Mise en bobine
Article restreint
Canal N 30V 590mA 0.55ohm DFN1010B Montage en surface 4.5V 700mV 285mW 6Broche(s) 150°C - -
PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ - MOSFET double, Canal N, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, DFN1010B, Montage en surface

2498567RL

MOSFET double, Canal N, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, DFN1010B, Montage en surface

NEXPERIA

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2498567RL
2498567 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal N 30V 590mA 0.55ohm DFN1010B Montage en surface 4.5V 700mV 285mW 6Broche(s) 150°C - -