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SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

2400359

VISHAY - Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

MOSFET CANAL N 20V 2.6A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:710mW; Type de boîtier de transisto

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  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 17/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 22/07/19

    Pièce

    5+ 0,364 € 25+ 0,346 € 100+ 0,216 € 250+ 0,195 € 500+ 0,173 € 1000+ 0,12 € 5000+ 0,118 € Plus de tarifs

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    SI2369DS-T1-GE3
    SI2369DS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

    2400360

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

    MOSFET CANAL P -30V -7.6A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transi

    24 519 En stock

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    24 519 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 21/10/19
  • 27 000 sera/seront disponible(s) le 29/10/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/12/19

    Pièce (fournie en bande découpée)

    5+ 0,332 € 25+ 0,317 € 100+ 0,216 € 250+ 0,198 € 500+ 0,179 € 1000+ 0,125 € 5000+ 0,105 € Plus de tarifs

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    SI1317DL-T1-GE3
    SI1317DL-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    2056676

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier d

    65 En stock

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  • 2 750 sera/seront disponible(s) le 19/09/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 13/04/20

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 0,334 € 25+ 0,319 € 100+ 0,198 € 250+ 0,179 € 500+ 0,159 € 1000+ 0,139 € 5000+ 0,119 € Plus de tarifs

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    SI2323DDS-T1-GE3
    SI2323DDS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    2646365

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET CANAL P -20V -5.3A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de trans

    4 679 En stock

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    290 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 27/04/20

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 0,456 € 50+ 0,403 € 100+ 0,299 € 500+ 0,19 € 1500+ 0,188 €

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    SI4936CDY-T1-GE3
    SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET double, Double canal N, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    1779274

    VISHAY - MOSFET double, Double canal N, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    1OSFET CANAL NN 30V. 5.8A. SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de trans

    1 248 En stock

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    610 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 19/08/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 11/11/19

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 0,501 € 25+ 0,475 € 100+ 0,344 € 250+ 0,313 € 500+ 0,283 € 1000+ 0,268 € 5000+ 0,254 € Plus de tarifs

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    SI7149ADP-T1-GE3
    SI7149ADP-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    2646390

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    MOSFET CANAL P -30V -50A POWERPAK SO; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de t

    6 374 En stock

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    6 374 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 28/04/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 02/12/19

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 0,719 € 50+ 0,641 € 100+ 0,486 € 500+ 0,361 € 1500+ 0,34 €

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    SIA437DJ-T1-GE3
    SIA437DJ-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2364068

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P-CH, 20V, 29.7A, POWERPAKSC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-29.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîti

    14 750 En stock

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    470 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 10/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 23/03/20

    Pièce (fournie en bande découpée)

    5+ 0,561 € 25+ 0,49 € 100+ 0,378 € 250+ 0,346 € 500+ 0,313 € 1000+ 0,248 € 5000+ 0,243 € Plus de tarifs

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    SI4288DY-T1-GE3
    SI4288DY-T1-GE3 - MOSFET double, Double canal N, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    2056718

    VISHAY - MOSFET double, Double canal N, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    MOSFET, NN CH, W/D, 40V, 9.2A, SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier d

    2 672 En stock

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    1 305 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    1 367 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

  • 2 500 sera/seront disponible(s) le 15/05/19
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 04/11/19

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 1,36 € 25+ 1,24 € 100+ 0,982 € 250+ 0,872 € 500+ 0,762 € 1000+ 0,545 € 5000+ 0,534 € Plus de tarifs

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    SI4403CDY-T1-GE3
    SI4403CDY-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2056683

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 13.4A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de

    11 200 En stock

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    8 953 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    2 247 en stock pour une livraison le jour ouvré suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 22/07/19

    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 0,64 € 25+ 0,582 € 100+ 0,432 € 250+ 0,394 € 500+ 0,356 € 1000+ 0,318 € 5000+ 0,279 € Plus de tarifs

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    SI5403DC-T1-GE3
    SI5403DC-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    2646386

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    MOSFET CANAL P -30V 6A CHIFFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:6.3W; Type de boîtier de transistor:

    En attente de livraison (Disponible pour commande différée aux délais de livraison affichés)

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    Pièce (fournie en bande découpée)

    Bandes découpées

    5+ 1,05 € 50+ 0,944 € 100+ 0,724 €

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