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VISHAY  SIA511DJ-T1-GE3  MOSFET double, Canal N et P, 4.5 A, 12 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 1 V

VISHAY SIA511DJ-T1-GE3
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L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N et P
Courant de drain Id:
4.5A
Tension Vds max..:
12V
Résistance Rds(on):
0.033ohm
Tension, mesure Rds:
4.5V
Tension de seuil Vgs:
1V
Dissipation de puissance Pd:
6.5W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK SC70
Nombre de broches:
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
To Be Advised

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Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.001