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VISHAY  SI9933CDY-T1-E3  MOSFET double, Double canal P, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V

VISHAY SI9933CDY-T1-E3
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Aperçu du produit

The SI9933CDY-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter and load switch applications.
  • TrenchFET® power MOSFET
  • 100% Rg and UIS tested

Informations produit

Polarité transistor:
Double canal P
Courant de drain Id:
-4A
Tension Vds max..:
-20V
Résistance Rds(on):
0.048ohm
Tension, mesure Rds:
-4.5V
Tension de seuil Vgs:
-1.4V
Dissipation de puissance Pd:
3.1W
Type de boîtier de transistor:
SOIC
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000114