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VISHAY  SI7884BDP-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 58 A, 40 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY SI7884BDP-T1-GE3
Fabricant :
VISHAY VISHAY
Réf. Fabricant ::
SI7884BDP-T1-GE3
Code Commande :
2101456
Fiche technique:
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Aperçu du produit

The SI7884BDP-T1-GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
58A
Tension Vds max..:
40V
Résistance Rds(on):
0.0062ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
3V
Dissipation de puissance Pd:
46W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK SO
Nombre de broches:
8Broche(s)
Nbre de broches:
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000882

Produits équivalents

MOSFET, N CHANNEL, 40V, 40A, POWERPAK SO-8

VISHAY

823:  En stock

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 1,49 € 10+ 1,20 € 25+ 1,11 € 50+ 1,02 € Plus...

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