Low

SI7617DN-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0103 ohm, -10 V, -2.5 V

VISHAY SI7617DN-T1-GE3

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Fabricant :
VISHAY VISHAY
Réf. Fabricant:
SI7617DN-T1-GE3
Code Commande :
2101453
Fiche technique:
(EN)
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Informations produit

:
-30V
:
-10V
:
-
:
Canal P
:
-
:
-2.5V
:
150°C
:
52W
:
PowerPAK 1212
:
-35A
:
0.0103ohm
:
8Broche(s)
:
MSL 1 - Illimité
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Aperçu du produit

The SI7617DN-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in notebook battery charging and adapter switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

Applications

Gestion d'alimentation, Computers & Computer Peripherals