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VISHAY  SI7617DN-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0103 ohm, -10 V, -2.5 V

VISHAY SI7617DN-T1-GE3
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Aperçu du produit

The SI7617DN-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in notebook battery charging and adapter switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-35A
Tension Vds max..:
-30V
Résistance Rds(on):
0.0103ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-2.5V
Dissipation de puissance Pd:
52W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK 1212
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Computers & Computer Peripherals

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000226