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VISHAY  SI7489DP-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V

VISHAY SI7489DP-T1-GE3
Fabricant :
VISHAY VISHAY
Réf. Fabricant ::
SI7489DP-T1-GE3
Code Commande :
2101451
Fiche technique:
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Aperçu du produit

The SI7489DP-T1-GE3 is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-28A
Tension Vds max..:
-100V
Résistance Rds(on):
0.033ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-3V
Dissipation de puissance Pd:
83W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK SO
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000238

Produits équivalents

P CHANNEL MOSFET, -100V, 28A, SOIC

VISHAY

En attente de livraison (Disponible pour commande différée aux délais de livraison affichés)

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 2,55 € 50+ 2,16 € 100+ 1,73 € 250+ 1,62 € Plus...

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