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VISHAY  SI7478DP-T1-E3  Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY SI7478DP-T1-E3
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Aperçu du produit

The SI7478DP-T1-E3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
15A
Tension Vds max..:
60V
Résistance Rds(on):
0.006ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
3V
Dissipation de puissance Pd:
1.9W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK SO
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000706

Produits équivalents

N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, SOIC

VISHAY

En attente de livraison (Disponible pour commande différée aux délais de livraison affichés)

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 2,46 € 10+ 2,39 € 100+ 1,88 € 250+ 1,78 € Plus...

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