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VISHAY  SI7431DP-T1-E3  Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -200 V, 0.145 ohm, -10 V, -4 V

VISHAY SI7431DP-T1-E3
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Aperçu du produit

The SI7431DP-T1-E3 is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.
  • Ultra-low ON-resistance
  • Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-2.2A
Tension Vds max..:
-200V
Résistance Rds(on):
0.145ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-4V
Dissipation de puissance Pd:
1.9W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK SO
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000434

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -200 V, 145 mohm, -10 V, -4 V

VISHAY

2 711 En stock

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 4,35 € 25+ 3,49 € 100+ 3,18 € 250+ 2,34 € Plus...

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