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VISHAY  SI7164DP-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V

VISHAY SI7164DP-T1-GE3
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Aperçu du produit

The SI7164DP-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch, POL and intermediate bus converter applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
60A
Tension Vds max..:
60V
Résistance Rds(on):
0.005ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
2.5V
Dissipation de puissance Pd:
104W
Type de boîtier de transistor:
PowerPAK SO
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000281

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 3.6 mohm, 10 V, 3 V

NXP

Bandes découpées
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Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V

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