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VISHAY  SI4435DDY-T1-E3  Transistor MOSFET, Canal P, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V

VISHAY SI4435DDY-T1-E3
Fabricant :
VISHAY VISHAY
Réf. Fabricant ::
SI4435DDY-T1-E3
Code Commande :
2101446
Fiche technique:
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Aperçu du produit

The SI4435DDY-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-11.4A
Tension Vds max..:
-30V
Résistance Rds(on):
0.0195ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-3V
Dissipation de puissance Pd:
5W
Type de boîtier de transistor:
SOIC
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000225

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal P, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V

VISHAY

Bandes découpées
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P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8

VISHAY

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