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VISHAY  SI2337DS-T1-E3  Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

VISHAY SI2337DS-T1-E3
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Aperçu du produit

The SI2337DS-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-2.2A
Tension Vds max..:
-80V
Résistance Rds(on):
0.216ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-4V
Dissipation de puissance Pd:
760mW
Type de boîtier de transistor:
TO-236
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000091

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

VISHAY

En attente de livraison (Disponible pour commande différée aux délais de livraison affichés)

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 1,04 € 10+ 0,75 € 100+ 0,578 € 250+ 0,576 € Plus...

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