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SI2337DS-T1-E3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

SI2337DS-T1-E3 - Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

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Fabricant :
VISHAY VISHAY
Réf. Fabricant:
SI2337DS-T1-E3
Code Commande :
2101436
Fiche technique:
(EN)
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Aperçu du produit

The SI2337DS-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Applications

Industrie, Gestion d'alimentation

Informations produit

:
Canal P
:
-2.2A
:
-80V
:
0.216ohm
:
-10V
:
-4V
:
760mW
:
TO-236
:
3Broche(s)
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Illimité
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SI2337DS-T1-GE3

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée) 1

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Type de conditionnement Bandes découpées

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Prix pour :
Pièce (fournie en bande découpée)
Multiple: 5 Minimum: 5
Quantité Prix
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50 + 0,613 €
250 + 0,564 €
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