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VISHAY  SI1304BDL-T1-E3  Transistor MOSFET, Canal N, 900 mA, 30 V, 0.216 ohm, 4.5 V, 1.3 V

VISHAY SI1304BDL-T1-E3
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Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
900mA
Tension Vds max..:
30V
Résistance Rds(on):
0.216ohm
Tension, mesure Rds:
4.5V
Tension de seuil Vgs:
1.3V
Dissipation de puissance Pd:
370mW
Type de boîtier de transistor:
SC-70
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000035

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