TEXAS INSTRUMENTS  TPS43060RTET  Contrôleur DC/DC, Mode Courant, 4.5V à 38V, 1 Sortie, Boost synchrone 1MHz, WQFN-16

TEXAS INSTRUMENTS TPS43060RTET

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Aperçu du produit


The TPS43060RTET is a Low IQ Synchronous Boost Controller with wide input voltage and 7.5V gate drive for standard FETs. Synchronous rectification enables high-efficiency for high-current applications and lossless inductor DCR sensing further improves efficiency. The resulting low-power losses supports high power-density and high-reliability boost converter solutions over extended (-40°C to 150°C) temperature range. The TPS43060 includes a 7.5V gate drive supply, which is suitable to drive a broad range of MOSFETs. It has a 5.5V gate drive supply and driver strength optimized for low Qg NexFET power MOSFETs. Also, TPS43061 provides an integrated bootstrap diode for the high-side gate driver to reduce the external parts count. The PWM control circuitry turns on the low-side MOSFET at the beginning of each oscillator clock cycle, as the error amplifier compares the output voltage feedback signal at the FB pin to the internal 1.22V reference voltage.
  • 58V Maximum output voltage
  • 7.5V Gate drive optimized for standard threshold MOSFETs
  • Current-mode control with internal slope compensation
  • Adjustable frequency from 50kHz to 1MHz
  • Synchronization capability to external clock
  • Adjustable soft-start time
  • Inductor DCR or resistor current sensing
  • Output voltage power-good indicator
  • ±0.8% Feedback reference voltage
  • 5µA Shutdown supply current
  • 600µA Operating quiescent current
  • Cycle-by-cycle current limit and thermal shutdown
  • Adjustable under-voltage lockout (UVLO) and output overvoltage protection
  • Green product and no Sb/Br

Applications

Computers & Computer Peripherals; Automobile; Gestion d'alimentation; Communications RF; Périphériques Portables
This device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
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Spécifications produit, documents etc.


  • Tension, alimentation min. 4.5V
  • Tension, alimentation max.. 38V
  • Nbre de sorties 1 sortie
  • Rapport cyclique 95%
  • Type de boîtier de contrôleur WQFN
  • Nombre de broches 16Broche(s)
  • Fréquence de commutation 1MHz
  • Topologie Boost Synchrone (élévateur)
  • Température d'utilisation min -40°C
  • Température de fonctionnement max.. 150°C
  • Type de packaging Pièce
  • Nombre de canaux de sortie 1
  • MSL MSL 2 - 1 an
  • SVHC No SVHC (15-Jun-2015)

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  •   Simulation Model (56.69KB) EN
  • Disponibilité

    Disponibilité :  48


    • 48 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (UK stock)
     
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    • 250 sera/seront disponible(s) le 14 mai 2016
    • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 20/06/16

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    250 - 499 3,04 €
    500 - 999 2,81 €
    1000 - 1999 2,66 €
    2000 - 3999 2,41 €
    4000+ 2,15 €
     
     
    Low

    Législation et Questions environnementales


    • Niveau de sensibilité à l'humidité : MSL 2 - 1 an
    • Pays d'origine : Philippines

      Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

    • Conforme RoHS : Oui
        Certificat de conformité RoHS
    • N° de tarif : 85423990
    • Poids (kg) : .0001
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