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STMICROELECTRONICS  STW26NM50  Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

STMICROELECTRONICS STW26NM50
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Aperçu du produit

The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • High dv/dt and avalanche capabilities
  • Improved ESD capability
  • Low input capacitance and gate charge
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
30A
Tension Vds max..:
500V
Résistance Rds(on):
0.12ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
4V
Dissipation de puissance Pd:
313W
Type de boîtier de transistor:
TO-247
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
STW Series
Normes Qualification Automobile:
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Non
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.004309

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

STMICROELECTRONICS

72 En stock

Prix pour : Pièce

1+ 8,03 € 25+ 6,06 € 100+ 5,03 € 250+ 3,49 € Plus...

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