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STMICROELECTRONICS  STW12NK80Z  MOSFET de puissance, Canal N, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS STW12NK80Z
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Aperçu du produit

The STW12NK80Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
  • 100% Avalanche tested
  • Improved ESD capability
  • Very good manufacturing reliability

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
10.5A
Tension Vds max..:
800V
Résistance Rds(on):
0.65ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
3.75V
Dissipation de puissance Pd:
190W
Type de boîtier de transistor:
TO-247
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.006

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