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STMICROELECTRONICS  STP6NK90Z  MOSFET de puissance, Canal N, 5.8 A, 900 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS STP6NK90Z
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Aperçu du produit

The STP6NK90Z is a 900V N-channel Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • Extremely high dv/dt capability
  • 100% Avalanche tested
  • Gate charge minimized
  • Very low intrinsic capacitance
  • Very good manufacturing repeatability
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
5.8A
Tension Vds max..:
900V
Résistance Rds(on):
2ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
3.75V
Dissipation de puissance Pd:
140W
Type de boîtier de transistor:
TO-220
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.002

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