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STMICROELECTRONICS  STD5NM60T4  MOSFET de puissance, Canal N, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

STMICROELECTRONICS STD5NM60T4
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Aperçu du produit

The STD5NM60T4 is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
  • 100% Avalanche tested
  • High dv/dt and avalanche capabilities
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
5A
Tension Vds max..:
650V
Résistance Rds(on):
1ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
4V
Dissipation de puissance Pd:
96W
Type de boîtier de transistor:
TO-252
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000605

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