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STMICROELECTRONICS  STD3NK60Z-1  MOSFET de puissance, Canal N, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS STD3NK60Z-1
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Aperçu du produit

The STD3NK60Z-1 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
  • Extremely high dV/dt capability
  • 100% Avalanche tested
  • Very low intrinsic capacitance
  • Very good manufacturing repeatability
  • Ideal for off-line power supplies, adaptors and PFC

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
2.4A
Tension Vds max..:
600V
Résistance Rds(on):
3.3ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
3.75V
Dissipation de puissance Pd:
45W
Type de boîtier de transistor:
TO-251AA
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation;
  • Eclairage

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.001179

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