Low

IRF630.. - 

Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS IRF630..
STMICROELECTRONICS IRF630..

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
IRF630..
Code Commande :
9802380
Fiche technique:
(EN)
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Informations produit

:
200V
:
10V
:
-
:
Canal N
:
-
:
3V
:
150°C
:
100W
:
TO-220
:
9A
:
0.4ohm
:
3Broche(s)
:
-
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Aperçu du produit

The IRF630 from STMicroelectronics is a through hole, 200V N channel mesh overlay II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET is designed using the company's consolidated strip layout based MESH OVERLAY process which matches and improves the performances. Features extremely high dv/dt capability, very low intrinsic capacitances and gate charge minimized.
  • Drain to source voltage (Vds) is 200V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) is 9A
  • Power dissipation (Pd) is 75W
  • Operating junction temperature range from -65°C to 150°C
  • Gate threshold voltage of 3V
  • Low on state resistance of 350mohm at Vgs 10V

Applications

Gestion d'alimentation, Electronique Grand Public, Périphériques Portables, Industrie

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Prix pour : Pièce 1

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