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MJ10016 - 

Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 500 V, 250 W, 50 A, 10 hFE

MJ10016 - Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 500 V, 250 W, 50 A, 10 hFE

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Réf. Fabricant:
MJ10016
Code Commande :
2101394
Fiche technique:
(EN)
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Aperçu du produit

The MJ10016 is a Darlington NPN silicon Power Transistor with base emitter speedup diode. Designed for use in high voltage, high speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical and suited for line operated switch mode applications.
  • 8V Emitter-base voltage
  • 10A Base current
  • 0.7°C/W Junction-to-case thermal resistance

Applications

Gestion d'alimentation, Contrôle Moteur

Informations produit

:
NPN
:
500V
:
-
:
250W
:
50A
:
10hFE
:
TO-3
:
2Broche(s)
:
200°C
:
-
:
-
:
-
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