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SOLID STATE  MJ10016  Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 500 V, 250 W, 50 A, 10 hFE

SOLID STATE MJ10016
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Aperçu du produit

The MJ10016 is a Darlington NPN silicon Power Transistor with base emitter speedup diode. Designed for use in high voltage, high speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical and suited for line operated switch mode applications.
  • 8V Emitter-base voltage
  • 10A Base current
  • 0.7°C/W Junction-to-case thermal resistance

Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
500V
Fréquence de transition ft:
-
Dissipation de puissance Pd:
250W
Courant de collecteur DC:
50A
Gain en courant DC hFE:
10hFE
Type de boîtier de transistor:
TO-3
Nombre de broches:
2Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
200°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Contrôle Moteur

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412100
Poids (kg) :
.013608