Low

MJ10016 - 

Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 500 V, 250 W, 50 A, 10 hFE

SOLID STATE MJ10016

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
MJ10016
Code Commande :
2101394
Fiche technique:
(EN)
Découvrez tous les documents techniques

Informations produit

:
10hFE
:
-
:
NPN
:
-
:
200°C
:
250W
:
TO-3
:
50A
:
500V
:
-
:
2Broche(s)
:
-
Trouver des produits similaires Sélectionnez et modifiez les attributs ci-dessus pour trouver des produits similaires.

Aperçu du produit

The MJ10016 is a Darlington NPN silicon Power Transistor with base emitter speedup diode. Designed for use in high voltage, high speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical and suited for line operated switch mode applications.
  • 8V Emitter-base voltage
  • 10A Base current
  • 0.7°C/W Junction-to-case thermal resistance

Applications

Gestion d'alimentation, Contrôle Moteur