Low

ON SEMICONDUCTOR  MJH11020G  Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 200 V, 3 MHz, 150 W, 15 A, 400 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJH11020G
Technical Data Sheet (135.71KB) EN Découvrez tous les documents techniques

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Aperçu du produit

The MJH11020G is a 200V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The transistor has monolithic construction.
  • High DC current gain
  • Low collector emitter saturation voltage
  • Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 200VDC minimum)

Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
200V
Fréquence de transition ft:
3MHz
Dissipation de puissance Pd:
150W
Courant de collecteur DC:
15A
Gain en courant DC hFE:
400hFE
Type de boîtier de transistor:
TO-247
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Trouver des produits similaires  groupés par caractéristiques communes

Applications

  • Industrie;
  • Contrôle Moteur

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.004083