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ON SEMICONDUCTOR  MJH11020G  Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 200 V, 3 MHz, 150 W, 15 A, 400 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJH11020G
Réf. Fabricant ::
MJH11020G
Code Commande :
2101382
Fiche technique:
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Aperçu du produit

The MJH11020G is a 200V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The transistor has monolithic construction.
  • High DC current gain
  • Low collector emitter saturation voltage
  • Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 200VDC minimum)

Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Fréquence, fonctionnement min.:
Fréquence de transition ft:
3MHz
Courant de collecteur continu Ic:
Bruit:
Rapport de transfert de courant direct:
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
200V
Courant de collecteur DC:
15A
Gain en courant DC hFE:
400hFE
Gain de puissance Gp:
Dissipation de puissance Pd:
150W
Puissance à compression de gain 1dB, P1dB:
Type de boîtier de transistor:
TO-247
Nombre de broches:
3Broche(s)
Boîtier de transistor RF:
Température de fonctionnement max..:
150°C
Nbre de broches:
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (12-Jan-2017)

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Applications

  • Industrie
  • Contrôle Moteur

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.004083