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ON SEMICONDUCTOR  MJH11019G  Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, PNP, -200 V, 3 MHz, 150 W, -15 A, 400 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJH11019G
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Aperçu du produit

The MJH11019G is a 20A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.
  • Complementary device
  • Monolithic construction

Informations produit

Polarité transistor:
PNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
-200V
Fréquence de transition ft:
3MHz
Dissipation de puissance Pd:
150W
Courant de collecteur DC:
-15A
Gain en courant DC hFE:
400hFE
Type de boîtier de transistor:
TO-247
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation;
  • Contrôle Moteur

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.003992