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ON SEMICONDUCTOR  MJD31C1G  Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJD31C1G
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Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
100V
Fréquence de transition ft:
3MHz
Dissipation de puissance Pd:
15W
Courant de collecteur DC:
3A
Gain en courant DC hFE:
10hFE
Type de boîtier de transistor:
TO-252
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
Vietnam

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000666