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ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 20 hFE

ON SEMICONDUCTOR 2N3055G
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Aperçu du produit

The 2N3055G is a 60V Silicon NPN Bipolar Complementary Power Transistor designed for general purpose switching and amplifier applications.
  • Excellent safe operating area
  • DC Current gain(hFE = 20 to 70 at Ic = 4ADC)
  • Collector-emitter saturation voltage(Vce (sat) = 1.1VDC maximum at Ic = 4ADC)

Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
60V
Fréquence de transition ft:
2.5MHz
Dissipation de puissance Pd:
115W
Courant de collecteur DC:
15A
Gain en courant DC hFE:
20hFE
Type de boîtier de transistor:
TO-204AA
Nombre de broches:
2Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
200°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.012021

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