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Panasonic MOSFET

MOSFET Panasonic à faible résistance à l'état passant, faible RDS(on) et de petite taille, leaders de l'industrie.

  • Performances leaders de l'industrie.
  • Amélioration de la résistance à l'état passant.
  • Boîtiers compacts.
MOSFET Panasonic

Description du produit

MOSFET Panasonic, optimisés par la technologie de processus fine 110-nm avancée, fournissant une résistance à l'état passant inférieure de 36 % par surface d'unité (RDS(on) x Surface) et un indice de rendement (RDS(on) x Qg) plus élevé supérieur de 50 %, par rapport à la génération actuelle.

Utilisez ces performances leaders de l'industrie pour vos alimentations DC-DC, afin d'améliorer l'efficacité sur de larges plages de courant et réduire la demande d'alimentation dans vos applications.

Conformes RoHS et sans halogène

 

Résistance à l'état passant améliorée

Résistance à l'état passant inférieure de 36 % par surface d'unité.

Une nouvelle référence

Optimisés par la technologie de processus fine 110-nm avancée de création des MOSFET de petite taille, leaders de l'industrie.

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FG6943010R
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2284062

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET double, Canal N et P, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N/P 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transis

12 718 En stock

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FC6946010R
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2284060

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET CANAL N DOUBLE 60V SSMINI6-FE-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier d

4 700 En stock

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1+ 0,0806 € 25+ 0,0721 € 100+ 0,0636 € 500+ 0,0579 € Plus...

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FJ3303010L
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2284063

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

Transistor MOSFET, Canal P, -100 mA, -30 V, 4 ohm, -4 V, -1 V

MOSFET CANAL P 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transisto

2 752 En stock

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1+ 0,235 € 25+ 0,202 € 100+ 0,106 € 500+ 0,0888 € Plus...

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FK3303010L
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2284065

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SO

2 192 En stock

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1+ 0,223 € 25+ 0,166 € 100+ 0,116 € 500+ 0,0876 € Plus...

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FK3503010L
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2284068

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N 30V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SMin

1 730 En stock

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MTM232270LBF
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2284077

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 20 V, 0.085 ohm, 4 V, 850 mV

MOSFET CANAL P 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:

701 En stock

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1+ 0,129 € 25+ 0,119 € 100+ 0,109 € 500+ 0,0992 € Plus...

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    FK3506010L
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    2284069

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET CANAL N 60V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SM

    458 En stock

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    FK6K02010L
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    2284071

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 850 mV

    MOSFET CANAL N 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transi

    187 En stock

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    FC6546010R
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    2284058

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET CANAL N 60V SMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transi

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    FC6943010R
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    2284059

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

    MOSFET CANAL N DOUBLE 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de

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    FC8V33030L
    FC8V33030L

    2284061

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET double, Double canal N, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET CANAL N DOUBLE 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de tr

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    FJ6K01010L
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    2284064

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

    MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de tran

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    FK3306010L
    FK3306010L

    2284067

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET CANAL N 60V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:

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    FK3906010L
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    2284070

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET CANAL N 60V SSMINI3-F3-B0; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transistor:

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    FK8V03020L
    FK8V03020L

    2284072

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 33 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini

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    FK8V03030L
    FK8V03030L

    2284073

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 33 V, 0.005 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini8

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    FK8V03060L
    FK8V03060L

    2284074

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini

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    FL6L52010L
    FL6L52010L

    2284075

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -20 V, 0.08 ohm, -4 V, -750 mV

    MOSFET CANAL P SBD 20V WSSMINI6-F1; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de tran

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    MTM232230LBF
    MTM232230LBF

    2284076

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 20 V, 0.02 ohm, 4 V, 850 mV

    MOSFET CANAL N 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor

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    MTM761110LBF
    MTM761110LBF

    2284079

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

    MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de tran

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    MTM761230LBF
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    2284081

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -20 V, 0.036 ohm, -4 V, -850 mV

    MOSFET CANAL P 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transi

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