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Panasonic MOSFET

MOSFET Panasonic à faible résistance à l'état passant, faible RDS(on) et de petite taille, leaders de l'industrie.

  • Performances leaders de l'industrie.
  • Amélioration de la résistance à l'état passant.
  • Boîtiers compacts.
MOSFET Panasonic

Description du produit

MOSFET Panasonic, optimisés par la technologie de processus fine 110-nm avancée, fournissant une résistance à l'état passant inférieure de 36 % par surface d'unité (RDS(on) x Surface) et un indice de rendement (RDS(on) x Qg) plus élevé supérieur de 50 %, par rapport à la génération actuelle.

Utilisez ces performances leaders de l'industrie pour vos alimentations DC-DC, afin d'améliorer l'efficacité sur de larges plages de courant et réduire la demande d'alimentation dans vos applications.

Conformes RoHS et sans halogène

 

Résistance à l'état passant améliorée

Résistance à l'état passant inférieure de 36 % par surface d'unité.

Une nouvelle référence

Optimisés par la technologie de processus fine 110-nm avancée de création des MOSFET de petite taille, leaders de l'industrie.

Série de produits

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  Réf. Fabricant : Code Commande Fabricant / Description
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FG6943010R
FG6943010R - MOSFET double, Canal N et P, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

2284062

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - MOSFET double, Canal N et P, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N/P 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transis

43 540 En stock

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325 Liege Commander avant 19:00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

43 215 UK Commander avant 19:00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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Pièce

5+ 0,189 € 25+ 0,184 € 100+ 0,119 € 250+ 0,113 € 500+ 0,093 € 1000+ 0,059 € 5000+ 0,05 € Plus de tarifs

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FK3303010L
FK3303010L - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

2284065

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SO

17 017 En stock

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15 Liege Commander avant 19:00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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Pièce

5+ 0,235 € 25+ 0,228 € 100+ 0,116 € 250+ 0,11 € 500+ 0,0842 € 1000+ 0,051 € 5000+ 0,043 € Plus de tarifs

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MTM232270LBF
MTM232270LBF - Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 20 V, 0.085 ohm, 4 V, 850 mV

2284077

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 20 V, 0.085 ohm, 4 V, 850 mV

MOSFET CANAL P 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:

2 193 En stock

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300 Liege Commander avant 19:00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

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Pièce

5+ 0,282 € 25+ 0,272 € 100+ 0,157 € 250+ 0,154 € 500+ 0,139 € 1000+ 0,087 € 5000+ 0,075 € Plus de tarifs

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FC6946010R
FC6946010R - MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

2284060

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET CANAL N DOUBLE 60V SSMINI6-FE-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier d

1 018 En stock

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Pièce

5+ 0,182 € 25+ 0,168 € 100+ 0,109 € 250+ 0,104 € 500+ 0,0846 € 1000+ 0,0542 € 5000+ 0,0456 € Plus de tarifs

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FK3503010L
FK3503010L - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

2284068

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N 30V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SMin

3 219 En stock

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Pièce

5+ 0,241 € 25+ 0,21 € 100+ 0,0945 € 250+ 0,0882 € 500+ 0,0675 € 1000+ 0,0405 € 5000+ 0,0324 € Plus de tarifs

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FJ3303010L
FJ3303010L - Transistor MOSFET, Canal P, -100 mA, -30 V, 4 ohm, -4 V, -1 V

2284063

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal P, -100 mA, -30 V, 4 ohm, -4 V, -1 V

MOSFET CANAL P 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transisto

566 En stock

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Pièce

5+ 0,237 € 25+ 0,23 € 100+ 0,117 € 250+ 0,111 € 500+ 0,093 € 1000+ 0,052 € 5000+ 0,041 € Plus de tarifs

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FK3506010L
FK3506010L - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

2284069

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET CANAL N 60V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SM

En attente de livraison (Disponible pour commande différée aux délais de livraison affichés)

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Pièce

5+ 0,229 € 25+ 0,223 € 100+ 0,114 € 250+ 0,108 € 500+ 0,09 € 1000+ 0,05 € 5000+ 0,042 € Plus de tarifs

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FK3306010L
FK3306010L - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

2284067

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET CANAL N 60V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:

Plus stocké

FC6943010R
FC6943010R - MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

2284059

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET CANAL N DOUBLE 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de

Plus stocké

FK3906010L
FK3906010L - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

2284070

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET CANAL N 60V SSMINI3-F3-B0; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transistor:

Plus stocké

FC6546010R
FC6546010R - MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

2284058

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - MOSFET double, Double canal N, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET CANAL N 60V SMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transi

Plus stocké

MTM761230LBF
MTM761230LBF - Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -20 V, 0.036 ohm, -4 V, -850 mV

2284081

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -20 V, 0.036 ohm, -4 V, -850 mV

MOSFET CANAL P 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transi

Plus stocké

FK8V03020L
FK8V03020L - Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 33 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1 V

2284072

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 33 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1 V

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini

Plus stocké

FK8V03030L
FK8V03030L - Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 33 V, 0.005 ohm, 10 V, 1 V

2284073

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 33 V, 0.005 ohm, 10 V, 1 V

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini8

Plus stocké

FC8V33030L
FC8V33030L - MOSFET double, Double canal N, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

2284061

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - MOSFET double, Double canal N, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

MOSFET CANAL N DOUBLE 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de tr

Plus stocké

FK8V03060L
FK8V03060L - Transistor MOSFET, Canal N, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

2284074

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini

Plus stocké

MTM232230LBF
MTM232230LBF - Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 20 V, 0.02 ohm, 4 V, 850 mV

2284076

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 20 V, 0.02 ohm, 4 V, 850 mV

MOSFET CANAL N 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor

Plus stocké

FK6K02010L
FK6K02010L - Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 850 mV

2284071

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 850 mV

MOSFET CANAL N 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transi

Plus stocké

FJ6K01010L
FJ6K01010L - Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

2284064

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de tran

Plus stocké

MTM761110LBF
MTM761110LBF - Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

2284079

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de tran

Plus stocké