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INFINEON  IRFL4310TRPBF  Transistor MOSFET, Canal N, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRFL4310TRPBF
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Aperçu du produit

The IRFL4310TRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
  • Dynamic dV/dt rating
  • Ease of paralleling
  • Advanced process technology
  • Low static drain-to-source ON-resistance

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
1.6A
Tension Vds max..:
100V
Résistance Rds(on):
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
4V
Dissipation de puissance Pd:
1W
Type de boîtier de transistor:
SOT-223
Nombre de broches:
4Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Automobile;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Y-Ex
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000473