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INFINEON  2N6796  Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON 2N6796
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Aperçu du produit

The 2N6796 is an N-channel Hi-Rel MOSFET Power Transistor features an efficient geometry and unique processing of this latest state of the art design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance. This IRFF130 HEXFET technology MOSFET features voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
  • Repetitive avalanche ratings
  • Dynamic dv/dt rating
  • Hermetically sealed
  • Simple drive requirements
  • Ease of paralleling

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
8A
Tension Vds max..:
100V
Résistance Rds(on):
0.18ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
4V
Dissipation de puissance Pd:
25W
Type de boîtier de transistor:
TO-205AD
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Défense, Militaire et aérospatiale;
  • Commercial;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
Mexico

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Non
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000907

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Prix pour : Pièce

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