Low

2N6796 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 V

2N6796 - Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 V

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Réf. Fabricant:
2N6796
Code Commande :
4190725
Fiche technique:
(EN)
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Aperçu du produit

The 2N6796 is an N-channel Hi-Rel MOSFET Power Transistor features an efficient geometry and unique processing of this latest state of the art design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance. This IRFF130 HEXFET technology MOSFET features voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
  • Repetitive avalanche ratings
  • Dynamic dv/dt rating
  • Hermetically sealed
  • Simple drive requirements
  • Ease of paralleling

Applications

Défense, Militaire et aérospatiale, Commercial, Gestion d'alimentation

Informations produit

:
Canal N
:
8A
:
100V
:
0.18ohm
:
10V
:
4V
:
25W
:
TO-205AD
:
3Broche(s)
:
150°C
:
-
:
-
:
-
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