Low

2N6788 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 100 V, 300 mohm, 10 V, 4 V

2N6788 - Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 100 V, 300 mohm, 10 V, 4 V

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Réf. Fabricant:
2N6788
Code Commande :
4190701
Fiche technique:
(EN)
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Aperçu du produit

The 2N6788 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET suitable for inverters, choppers and high energy pulse circuit. The efficient geometry and unique processing of this latest state of the art design achieves very low ON-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET® transistor also features all of the well established advantages of MOSFET such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
  • Repetitive avalanche rating
  • Dynamic dV/dt rating
  • Hermetically sealed
  • Simple drive requirements

Applications

Gestion d'alimentation, Contrôle Moteur, Audio, Industrie, Défense, Militaire et aérospatiale

Informations produit

:
Canal N
:
6A
:
100V
:
0.3ohm
:
10V
:
4V
:
20W
:
TO-205AD
:
3Broche(s)
:
150°C
:
-
:
-
:
-
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