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INFINEON  2N6788  Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 100 V, 300 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON 2N6788
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Aperçu du produit

The 2N6788 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET suitable for inverters, choppers and high energy pulse circuit. The efficient geometry and unique processing of this latest state of the art design achieves very low ON-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET® transistor also features all of the well established advantages of MOSFET such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
  • Repetitive avalanche rating
  • Dynamic dV/dt rating
  • Hermetically sealed
  • Simple drive requirements

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
6A
Tension Vds max..:
100V
Résistance Rds(on):
0.3ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
4V
Dissipation de puissance Pd:
20W
Type de boîtier de transistor:
TO-205AD
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Contrôle Moteur;
  • Audio;
  • Industrie;
  • Défense, Militaire et aérospatiale

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
Mexico

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Non
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000907