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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10LTF  Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT7N10LTF
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Aperçu du produit

The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
  • 100% Avalanche tested
  • 5.8nC Typical low gate charge
  • 10pF Typical low Crss

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
1.7A
Tension Vds max..:
100V
Résistance Rds(on):
0.275ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
2V
Dissipation de puissance Pd:
2W
Type de boîtier de transistor:
SOT-223
Nombre de broches:
4Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Contrôle Moteur;
  • Audio

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
South Korea

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000124

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 V

NXP

Bandes découpées
8 075 En stock

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 0,676 € 25+ 0,618 € 100+ 0,518 € 250+ 0,457 € Plus...

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