Low

FQT7N10LTF - 

Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQT7N10LTF

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
FQT7N10LTF
Code Commande :
2101412
Fiche technique:
(EN)
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Informations produit

:
100V
:
10V
:
-
:
Canal N
:
-
:
2V
:
150°C
:
2W
:
SOT-223
:
1.7A
:
0.275ohm
:
4Broche(s)
:
MSL 1 - Illimité
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Aperçu du produit

The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
  • 100% Avalanche tested
  • 5.8nC Typical low gate charge
  • 10pF Typical low Crss

Applications

Gestion d'alimentation, Contrôle Moteur, Audio

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Fabricant / Description
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