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FQT7N10LTF - 

Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V

FQT7N10LTF - Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V

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Réf. Fabricant:
FQT7N10LTF
Code Commande :
2101412
Fiche technique:
(EN)
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Aperçu du produit

The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
  • 100% Avalanche tested
  • 5.8nC Typical low gate charge
  • 10pF Typical low Crss

Applications

Gestion d'alimentation, Contrôle Moteur, Audio

Informations produit

:
Canal N
:
1.7A
:
100V
:
0.275ohm
:
10V
:
2V
:
2W
:
SOT-223
:
4Broche(s)
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Illimité
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PHT6NQ10T

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée) 1

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Code Commande
Fabricant / Description
Dispo
Prix pour
Quantité
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Bobine en 4000 / reel:2251974 Voir les produits en stock

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0,551 € 0.55
Prix pour :
Pièce (fournie en bande découpée)
Multiple: 10 Minimum: 10
Quantité Prix
10 + 0,551 €
100 + 0,304 €
500 + 0,274 €
1000 + 0,234 €
2000 + 0,212 €
Également disponible en Reel  en 4000 / reel: 2251974
 
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Quantité Prix unitaire HT
4000 + 0,183 €
20000 + 0,175 €
40000 + 0,172 €
No longer stocked:: No Longer Manufactured::
10 (Bandes découpées 2101412) x 0,551 = 5,51 €
Prix total: 5,51 €
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*Remarque : si vous avez sélectionné un article mis en bobine, des frais de 5,00 € seront appliqués.
La mise en bobine correspond à la création d'une bobine sur mesure pour les articles de découpage de bande pour les quantités de commande supérieures à 150
Remarque : selon le type de conditionnement, les produits peuvent être expédiés depuis différents entrepôts. Veuillez consulter les informations de livraison et les délais d'approvisionnement pour chaque type de conditionnement.

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