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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP8P10.  Transistor MOSFET, Canal P, 8 A, -100 V, 410 mohm, -10 V, -4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8P10.
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8P10.
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Aperçu du produit

The FQP8P10 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
  • 100% Avalanche tested
  • 12nC Typical low gate charge
  • 30pF Typical low Crss

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
8A
Tension Vds max..:
-100V
Résistance Rds(on):
0.41ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-4V
Dissipation de puissance Pd:
65W
Type de boîtier de transistor:
TO-220
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
175°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Contrôle Moteur;
  • Audio

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
South Korea

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Non
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.002

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