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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP19N20.  Transistor MOSFET, Canal N, 19.4 A, 200 V, 120 mohm, 10 V, 5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP19N20.
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Aperçu du produit

The FQP19N20 is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies and active power factor correction (PFC).
  • 100% Avalanche tested
  • 31nC Typical low gate charge
  • 30pF Typical low Crss

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
19.4A
Tension Vds max..:
200V
Résistance Rds(on):
0.12ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
5V
Dissipation de puissance Pd:
140W
Type de boîtier de transistor:
TO-220
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Eclairage

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
-
Pays d'origine :
South Korea

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.003723

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal N, 19.4 A, 200 V, 0.12 ohm, 10 V, 5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

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Prix pour : Pièce

1+ 1,22 € 25+ 1,07 € 100+ 0,796 €

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