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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD16N25CTM  Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 250 V, 220 mohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD16N25CTM
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Aperçu du produit

The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
  • 100% Avalanche tested
  • 41nC Typical low gate charge
  • 68pF Typical low Crss

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N
Courant de drain Id:
16A
Tension Vds max..:
250V
Résistance Rds(on):
0.22ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
4V
Dissipation de puissance Pd:
160W
Type de boîtier de transistor:
TO-252
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Eclairage;
  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
South Korea

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.002