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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6910  MOSFET double, Double canal N, 7.5 A, 30 V, 13 mohm, 10 V, 1.8 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6910
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Aperçu du produit

The FDS6910 is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
  • Fast switching speed
  • Low gate charge
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability
  • ±20V Gate to source voltage
  • 7.5A Continuous drain current
  • 20A Pulsed drain current

Informations produit

Polarité transistor:
Double canal N
Courant de drain Id:
7.5A
Tension Vds max..:
30V
Résistance Rds(on):
0.013ohm
Tension, mesure Rds:
10V
Tension de seuil Vgs:
1.8V
Dissipation de puissance Pd:
1.6W
Type de boîtier de transistor:
SOIC
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.0005

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