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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6673BZ  Transistor MOSFET, Canal P, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6673BZ
Réf. Fabricant ::
FDS6673BZ
Code Commande :
2101409
Fiche technique:
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Aperçu du produit

The FDS6673BZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability
  • 6.5kV Typical HBM ESD protection level

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-14.5A
Tension Vds max..:
-30V
Résistance Rds(on):
0.0065ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-1.9V
Dissipation de puissance Pd:
1W
Type de boîtier de transistor:
SOIC
Nombre de broches:
8Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation
  • Périphériques Portables
  • Computers & Computer Peripherals

Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.0005

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal P, -15 A, -30 V, 5.9 mohm, -10 V, -1.8 V

INFINEON

5 748 En stock

Prix pour : Pièce

1+ 0,846 € 25+ 0,746 € 100+ 0,568 € 250+ 0,482 € Plus...

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