Low

FDS6673BZ - 

Transistor MOSFET, Canal P, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6673BZ

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
FDS6673BZ
Code Commande :
2101409
Fiche technique:
(EN)
Découvrez tous les documents techniques

Informations produit

:
-30V
:
-10V
:
-
:
Canal P
:
-
:
-1.9V
:
150°C
:
1W
:
SOIC
:
-14.5A
:
0.0065ohm
:
8Broche(s)
:
MSL 1 - Illimité
Trouver des produits similaires Sélectionnez et modifiez les attributs ci-dessus pour trouver des produits similaires.

Aperçu du produit

The FDS6673BZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability
  • 6.5kV Typical HBM ESD protection level

Applications

Gestion d'alimentation, Périphériques Portables, Computers & Computer Peripherals

Produits similaires

INFINEON
IRF9321PBF

Prix pour : Pièce 1

1+ 0,642 €

Produits équivalents