Low

FDN352AP - 

Transistor MOSFET, Canal P, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN352AP

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
FDN352AP
Code Commande :
1467977
Fiche technique:
(EN)
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Informations produit

:
-30V
:
-10V
:
-
:
Canal P
:
-
:
-2V
:
150°C
:
500mW
:
SuperSOT
:
-1.3A
:
0.18ohm
:
3Broche(s)
:
MSL 1 - Illimité
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Aperçu du produit

The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
  • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

Applications

Computers & Computer Peripherals, Gestion d'alimentation

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