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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN352AP  Transistor MOSFET, Canal P, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN352AP
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Aperçu du produit

The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
  • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-1.3A
Tension Vds max..:
-30V
Résistance Rds(on):
0.18ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-2V
Dissipation de puissance Pd:
500mW
Type de boîtier de transistor:
SuperSOT
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Computers & Computer Peripherals;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.12

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal P, -2.3 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.3 V

INFINEON

Bandes découpées
13 453 En stock

Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 0,523 € 25+ 0,31 € 100+ 0,219 € 250+ 0,184 € Plus...

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