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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ
Réf. Fabricant ::
FDN304PZ
Code Commande :
1467974
Fiche technique:
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Aperçu du produit

The FDN304PZ is a -20V P-channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is op...
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • ESD protection diode
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-2.4A
Tension Vds max..:
-20V
Résistance Rds(on):
0.036ohm
Tension, mesure Rds:
-4.5V
Tension de seuil Vgs:
-800mV
Dissipation de puissance Pd:
500mW
Type de boîtier de transistor:
SuperSOT
Nombre de broches:
3Broche(s)
Nbre de broches:
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.05

Produits équivalents

Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Bandes découpées
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Prix pour : Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 0,282 € 80+ 0,196 € 250+ 0,188 € 750+ 0,147 € Plus...

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