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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6320C  MOSFET double, Canal N et P, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6320C
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Aperçu du produit

The FDG6320C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
  • Very small package outline
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
  • Gate-source Zener for ESD ruggedness

Informations produit

Polarité transistor:
Canal N et P
Courant de drain Id:
220mA
Tension Vds max..:
25V
Résistance Rds(on):
4ohm
Tension, mesure Rds:
4.5V
Tension de seuil Vgs:
850mV
Dissipation de puissance Pd:
300mW
Type de boîtier de transistor:
SC-70
Nombre de broches:
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Industrie;
  • Gestion d'alimentation

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.00001

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