Low

FDG6320C - 

MOSFET double, Canal N et P, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDG6320C

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
FDG6320C
Code Commande :
1467972
Fiche technique:
(EN)
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Informations produit

:
25V
:
4.5V
:
-
:
Canal N et P
:
-
:
850mV
:
150°C
:
300mW
:
SC-70
:
220mA
:
4ohm
:
6Broche(s)
:
MSL 1 - Illimité
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Aperçu du produit

The FDG6320C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
  • Very small package outline
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
  • Gate-source Zener for ESD ruggedness

Applications

Industrie, Gestion d'alimentation

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