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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD4141  Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 10.1 mohm, -10 V, -1.8 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4141
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Aperçu du produit

The FDD4141 is a -40V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-50A
Tension Vds max..:
-40V
Résistance Rds(on):
0.0101ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-1.8V
Dissipation de puissance Pd:
69W
Type de boîtier de transistor:
TO-252
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.0003