Low

FDC610PZ - 

Transistor MOSFET, Canal P, -4.9 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC610PZ

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Réf. Fabricant:
FDC610PZ
Code Commande :
2101404
Fiche technique:
(EN)
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Informations produit

:
-30V
:
-10V
:
-
:
Canal P
:
-
:
-2.2V
:
150°C
:
800mW
:
SuperSOT
:
-4.9A
:
0.036ohm
:
6Broche(s)
:
MSL 1 - Illimité
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Aperçu du produit

The FDC610PZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • 17nC Typical low gate charge

Applications

Gestion d'alimentation, Industrie