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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC610PZ  Transistor MOSFET, Canal P, -4.9 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC610PZ
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Aperçu du produit

The FDC610PZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • 17nC Typical low gate charge

Informations produit

Polarité transistor:
Canal P
Courant de drain Id:
-4.9A
Tension Vds max..:
-30V
Résistance Rds(on):
0.036ohm
Tension, mesure Rds:
-10V
Tension de seuil Vgs:
-2.2V
Dissipation de puissance Pd:
800mW
Type de boîtier de transistor:
SuperSOT
Nombre de broches:
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applications

  • Gestion d'alimentation;
  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
United States

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000015