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DIODES INC.  DXT2010P5-13  Transistor simple bipolaire (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE

DIODES INC. DXT2010P5-13
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Aperçu du produit

The DXT2010P5-13 is a NPN medium power Bipolar Transistor offers package of 43% smaller than SOT223 and 60% smaller than TO252. It is suitable for motor driver and regulator circuit applications.
  • UL94V-0 Flammability rating
  • Maximum height just 1.1mm
  • Rated up to 3.2W
  • Low saturation voltage
  • Halogen-free, Green device
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
60V
Fréquence de transition ft:
130MHz
Dissipation de puissance Pd:
3.2W
Courant de collecteur DC:
6A
Gain en courant DC hFE:
200hFE
Type de boîtier de transistor:
PowerDI5
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
-
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applications

  • Défense, Militaire et aérospatiale;
  • Contrôle Moteur;
  • Gestion d'alimentation;
  • Industrie

Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000093

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