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DIODES INC.  DXT2010P5-13  Transistor simple bipolaire (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE

DIODES INC. DXT2010P5-13
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Informations produit

Polarité transistor:
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:
60V
Fréquence de transition ft:
130MHz
Dissipation de puissance Pd:
3.2W
Courant de collecteur DC:
6A
Gain en courant DC hFE:
200hFE
Type de boîtier de transistor:
PowerDI5
Nombre de broches:
3Broche(s)
Température de fonctionnement max..:
150°C
Gamme de produit:
-
Normes Qualification Automobile:
MSL:
MSL 1 - Illimité
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Législation et Questions environnementales

Niveau de sensibilité à l'humidité :
MSL 1 - Illimité
Pays d'origine :
China

Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

Conforme RoHS :
Oui
N° de tarif :
85412900
Poids (kg) :
.000093

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