2014/07/24
 
 
  
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MOSFET de puissance haute tension série E Vishay

Des MOSFET de puissance à canal N et super jonction, de 600 et 650 V, avec 30 % de résistance spécifique en moins que la série S et une optimisation de processus.

  • Faible résistance, faible capacité d'entrée et faible figure de mérite
  • Vitesse de commutation élevée et réduction des pertes liées à la commutation capacitative
  • Charge de grille ultra-faible
  • Efficacité et opération optimales
  • Circuit de commande de grille simple
MOSFET de puissance haute tension série E

Description du produit

Des MOSFET de puissance à canal N et super jonction, de 600 et 650 V, avec 30 % de résistance spécifique en moins que la série S et une optimisation de processus. Ils offrent une résistance et une capacité d'entrée faibles, une réduction des pertes liées à la commutation capacitative, une charge de grille ultra-faible, ainsi qu'une opération et une efficacité optimales.
Parmi les autres fonctions figurent un circuit de commande de grille simple, une faible figure de mérite et une vitesse de commutation élevée.
Ses applications comprennent les alimentations des télécommunications et serveurs, l'alimentation à découpage (SMPS), les alimentations de facteurs de correction de puissance (PFC), l'éclairage, les décharges haute pression (HID), les ballasts d'éclairage fluorescent, les applications industrielles, le soudage, le chauffage par induction, les commandes de moteur, les chargeurs de batterie, les applications solaires (inverseurs photovoltaïque) et d'énergies renouvelables.

Faible résistance

Les MOSFET de puissance série E offrent une réduction de résistance spécifique de 30 % par rapport à la série S.

Moins de pertes

Ce produit, qui dispose d'une faible capacité d'entrée et d'une charge de grille ultra-faible, permet la réduction de pertes liées à la commutation capacitative et optimise le fonctionnement et l'efficacité de l'appareil.

Applications courantes

Alimentation des télécommunications et serveurs, alimentation à découpage (SMPS), alimentation des facteurs de correction de puissance (PFC), éclairage, décharge haute pression (HID), ballast d'éclairage fluorescent, applications industrielles, soudage, chauffage par induction, commandes de moteur, chargeurs de batterie, applications solaires (inverseurs photovoltaïque) et énergies renouvelables.

Série de produits

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2364088

VISHAY SILICONIX
SIHP33N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 33A, TO-220

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (167.61KB) EN
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2364087

VISHAY SILICONIX
SIHP30N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-220

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (152.38KB) EN
Certificat de Conformité RoHS
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2364085

VISHAY SILICONIX
SIHP24N65E-GE3

MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (163.81KB) EN
Certificat de Conformité RoHS
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2364084

VISHAY SILICONIX
SIHP22N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-220

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (163.72KB) EN
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2364083

VISHAY SILICONIX
SIHG47N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 47A, TO-247

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (188.79KB) EN
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2364082

VISHAY SILICONIX
SIHG30N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (171.11KB) EN
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2364081

VISHAY SILICONIX
SIHG24N65E-GE3

MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V;

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2364080

VISHAY SILICONIX
SIHG22N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (180.29KB) EN
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2364079

VISHAY SILICONIX
SIHF30N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220FP

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (157.54KB) EN
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2364078

VISHAY SILICONIX
SIHF22N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-220FP

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (173.98KB) EN
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2364077

VISHAY SILICONIX
SIHF15N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220FP

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (139.56KB) EN
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2364076

VISHAY SILICONIX
SIHF12N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-220FP

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (168.85KB) EN
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2364072

VISHAY SILICONIX
SIHB33N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (209.59KB) EN
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950 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)


2364071

VISHAY SILICONIX
SIHB12N60E-GE3

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (202.38KB) EN
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782 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock UK)
Heures limites
782 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)


2291552

VISHAY SILICONIX
SIHB15N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 15A DPAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (210.64KB) EN
Product Range
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Conforme RoHS Oui
343 en stock
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285 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
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1 Pièce
1+
2,06 €
25+
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1,74 €
250+
1,60 €
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285 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock UK)
58 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock EU)
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285 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
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2291550

VISHAY SILICONIX
SIHG33N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 33A TO-247AC

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (186.47KB) EN
Product Range
Certificat de Conformité RoHS
Conforme RoHS Oui
421 en stock
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421 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
1 Pièce
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25+
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4,47 €
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421 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock UK)
Heures limites
421 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)


2283642

VISHAY SILICONIX
SIHD7N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 7A DPAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (188.44KB) EN
Product Range
Certificat de Conformité RoHS
Conforme RoHS Oui
1998 en stock
Heures limites
1983 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
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1 Pièce
1+
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1,67 €
250+
1,40 €
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1 983 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock UK)
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1983 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
15 Stocks EU : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)


2283641

VISHAY SILICONIX
SIHF7N60E-E3

MOSFET CANAL N 600V 7A TO220FP

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (162.10KB) EN
Product Range
Certificat de Conformité RoHS
Conforme RoHS Oui
986 en stock
Heures limites
888 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
98 Stocks EU : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
1 Pièce
1+
1,67 €
25+
1,50 €
100+
1,35 €
250+
1,21 €
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888 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock UK)
98 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock EU)
Heures limites
888 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
98 Stocks EU : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)


2283640

VISHAY SILICONIX
SIHP7N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 7A TO220AB

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (206.90KB) EN
Product Range
Certificat de Conformité RoHS
Conforme RoHS Oui
988 en stock
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888 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
100 Stocks EU : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
1 Pièce
1+
1,48 €
25+
1,33 €
100+
1,20 €
250+
1,08 €
plus...
888 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock UK)
100 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Stock EU)
Heures limites
888 Stocks UK : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)
100 Stocks EU : Commander avant 19:30 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)


2283639

VISHAY SILICONIX
SIHU7N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 7A IPAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (169.41KB) EN
Product Range
Certificat de Conformité RoHS
Conforme RoHS Oui
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2283637

VISHAY SILICONIX
SIHP12N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 12A TO220AB

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (210.01KB) EN
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2283635

VISHAY SILICONIX
SIHP15N60E-GE3

MOSFET CANAL N 600V 15A TO220AB

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (207.10KB) EN
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2283634

VISHAY SILICONIX
SIHG73N60E-GE3

MOSFET CANAL N 650V 73A TO247AC

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (180.55KB) EN
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2283632

VISHAY SILICONIX
SIHB24N65E-GE3

MOSFET CANAL N 650V 24A D2PAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (209.77KB) EN
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2079779

VISHAY SILICONIX
SIHB30N60E-GE3

MOSFET N CH 600V 29A D2PAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (192.20KB) EN
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2079772

VISHAY SILICONIX
SIHB22N60E-GE3

MOSFET N CH 600V 21A D2PAK

Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V;

Technical Data Sheet (193.02KB) EN
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