Semiconducteurs - Composants discrets

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UDZVFHTE-175.6B
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2528873

ROHM

Diode simple Zener, AEC-Q101, 5.6 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Broche(s), 150 °C

DIODE ZENER, 5.6V, SOD-323FL; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de diode:SOD-323FL; Tolérance Zener ±:-; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme d

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1SS355TE-17
1SS355TE-17

1525435

ROHM

Diode signaux faibles, Commutation rapide, 90 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 225 mA

DIODE DE COMMUTATION 80V CMS; Configuration diode:-; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:225mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nombre de br

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  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 16 juil. 2017
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    EMZ1FHAT2R
    EMZ1FHAT2R

    2528358

    ROHM

    Réseau de transistors bipolaires, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de

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    RB160M-40TR
    RB160M-40TR

    1680023

    ROHM

    Diode Schottky faible signal, Une, 40 V, 1 A, 510 mV, 30 A, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-123; Nombre de broches:2Broche(s); Type de packaging:

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  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 23 avr. 2017
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/05/17

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    1SR154-400TE25
    1SR154-400TE25

    1525432

    ROHM

    Diode de récupération standard, Verre passivé, 400 V, 1 A, Une, 1.1 V, 30 A

    DIODE 400V 1A; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:-; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-106; Nombre de broches:2Broche(s); T

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  • 2 970 sera/seront disponible(s) le 1 mai 2017
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    UDZVFHTE-176.8B
    UDZVFHTE-176.8B

    2528875

    ROHM

    Diode simple Zener, AEC-Q101, 6.8 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE ZENER, 6.8V, SOD-323FL; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de diode:SOD-323FL; Tolérance Zener ±:-; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme d

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    RF071M2STR
    RF071M2STR

    1680040

    ROHM

    Diode Fast / U, 200 V, 700 mA, Une, 850 mV, 25 ns, 15 A

    DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 200V 7A; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:700mA; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:15A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-123; Nbre

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    EMH11FHAT2R
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    2528364

    ROHM

    Réseau de transistors bipolaires, AEC-Q101, Double NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, DOUBLE NPN, 50V, SOT-563; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30hFE; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre

    8 000 En stock

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    DTA143XMFHAT2L
    DTA143XMFHAT2L

    2528375

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 Rapport

    TRANSISTOR, PNP, 4.7K/10K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-

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    EMD3FHAT2R
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    2528361

    ROHM

    Réseau de transistors bipolaires, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30hFE; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de b

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    DTC143XMFHAT2L
    DTC143XMFHAT2L

    2528397

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 4.7K/10K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-10

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    2528397RL en Mise en bobine

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    DTC143TMFHAT2L
    DTC143TMFHAT2L

    2528394

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SC-105AA

    TRANSISTOR NUMÉRIQUE, NPN, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SC-105AA; Nbre de br

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    DTC124XMFHAT2L
    DTC124XMFHAT2L

    2528392

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 22K/47K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.46Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-105A

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    2528392RL en Mise en bobine

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    EDZVFHT2R16B
    EDZVFHT2R16B

    2528827

    ROHM

    Diode simple Zener, AEC-Q101, 16 V, 150 mW, SOD-523, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE ZENER, 16V, SOD-523; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de diode:SOD-523; Tolérance Zener ±:-; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de prod

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    EDZVFHT2R11B
    EDZVFHT2R11B

    2581507

    ROHM

    Diode simple Zener, AEC-Q101, 11 V, 150 mW, SOD-523, 2 Broche(s), 150 °C

    ZENER AUTO, 0.15W, 11V SOD523; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de diode:SOD-523; Tolérance Zener ±:-; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de

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    DTC143ZMFHAT2L
    DTC143ZMFHAT2L

    2528399

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 4.7K/47K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-105

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     RV2C002UNT2L
     RV2C002UNT2L

    2490618

    ROHM

    Transistor MOSFET, Canal N, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V

    MOSFET CANAL N 20V 0.18A VML1006-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transis

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    RF01VM2SFHTE-17
    RF01VM2SFHTE-17

    2528898

    ROHM

    Diode Fast / U, AEC-Q101, 250 V, 100 mA, Une, 1.2 V, 50 ns, 1 A

    REDRESSEUR, 0.1A, 250V, SOD-323; Tension, Vrrm:250V; Courant, If moy.:100mA; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nbre de

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    2528898RL en Mise en bobine

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    1+ 0,148 € 25+ 0,13 € 100+ 0,0964 € Plus...

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    2SC5662T2LP
    2SC5662T2LP

    1680136

    ROHM

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

    TRANSISTOR NPN VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:11V; Fréquence de transition ft:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:56hFE; Type de boîtier de transistor:VMT;

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    1680136RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,322 € 25+ 0,307 € 100+ 0,157 € Plus...

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    DTC114EMFHAT2L
    DTC114EMFHAT2L

    2528381

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 10K/10K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-105AA;

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    2528401

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 4.7K/47K, SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1Rapport; Boîtier de transistor RF:SOT-323

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    2528369

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Rapport

    TRANSISTOR, PNP, 10K/10K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-105AA

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    1680170

    ROHM

    Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 30 V, 5 ohm, 4 V, 1.5 V

    TRANSISTOR MOSFET CANAL N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:VMT; No

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    2528385

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 10K/47K, SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.21Rapport; Boîtier de transistor RF:SOT-323;

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    DTC144EMFHAT2L
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    2528403

    ROHM

    Transistor num./pré-polarisé bipolaire, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Rapport

    TRANSISTOR, NPN, 47K/47K, SC-105AA; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1Rapport; Boîtier de transistor RF:SC-105AA;

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