Semiconducteurs - Composants discrets

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BSS84PH6327XTSA2
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1056526

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-170mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier d

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BC847CE6327HTSA1
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2432696

INFINEON

Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 250 MHz, 330 mW, 100 mA, 110 hFE

TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110hFE; Type de boîtier de

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IRLML6344TRPBF
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1857299

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

MOSFET CANAL N 30V 6.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SO

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  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 2 juin 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 14 juil. 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 25 août 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 22 sept. 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 29 mai 2017
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    2443491

    INFINEON

    Transistor simple bipolaire (BJT), 50 V

    TRANSISTOR AF NUMERIQUE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Nombre de broches:3Broche(s); Gamme de produit:-; Normes Qualification Automobile:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de c

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  • 27 000 sera/seront disponible(s) le 31 mai 2017
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    BSS138NH6327XTSA2
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    2432717

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N CH, 60V, 0.23A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transist

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  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 7 juil. 2017
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    2725760

     
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    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, Une, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY AEC-Q101 30V SOT-23; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nombre de broches:3Broch

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    2725757

     
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    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, Une, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY AEC-Q101 30V SC-79; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SC-79; Nombre de broches:2Broche(

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    2725759

     
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    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, Double cathode commune, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY AEC-Q101 30V SOT-23; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nombr

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    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, Une, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY AEC-Q101 30V SOD-323; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nombre de broches:2Bro

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    2617469

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET CANAL P -20V, -0.39A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-390mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.7ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier

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    BCR112E6327HTSA1
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    2443489

    INFINEON

    Transistor simple bipolaire (BJT), 50 V

    TRANSISTOR AF NUMERIQUE; Polarité transistor:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:-; Nombre de broche

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    2N7002H6327XTSA2
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    2443474

    INFINEON

    Transistor MOSFET, BRT, Canal N, 300 mA, 60 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.1 V

    SMALL SIGNAL+P-CH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nomb

    17 461 En stock

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    1+ 0,0448 € 25+ 0,0433 € 100+ 0,0314 € Plus...

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    IRLML9301TRPBF
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    1831089

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -30 V, 0.051 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET & DIODE CANAL P 30V 3.6A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de

    21 081 En stock

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  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 4 août 2017
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    1831089RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,316 € 25+ 0,299 € 100+ 0,152 € Plus...

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    IRF3708PBF
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    8648158

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 62A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transi

    21 635 En stock

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 18/09/17

    Pièce

    1+ 1,44 € 25+ 1,27 € 100+ 1,02 € Plus...

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    IRFML8244TRPBF
    IRFML8244TRPBF

    1857298

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 25 V, 20 mohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET CANAL N 25V 5.7A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:S

    18 916 En stock

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    IRLML0100TRPBF
    IRLML0100TRPBF

    1783928

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET CANAL N 100V. 1.6A. SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.178ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transi

    17 728 En stock

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  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 11 août 2017
  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 1 sept. 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 22 sept. 2017
  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 30 août 2017
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 18/09/17

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    1783928RL en Mise en bobine

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    1+ 0,415 € 25+ 0,393 € 100+ 0,201 € Plus...

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    BAT6404E6327HTSA1
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    2432680

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, AEC-Q101, Simple paire en série, 40 V, 120 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY 0.12A 40V SOT-23; Configuration diode:Simple paire en série; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nombre de

    19 325 En stock

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    1+ 0,236 € 25+ 0,227 € 100+ 0,0953 € Plus...

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    IRLML9303TRPBF
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    1831090

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -2.3 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.3 V

    MOSFET & DIODE CANAL P 30V 2.3A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier d

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    1+ 0,331 € 25+ 0,314 € 100+ 0,136 € Plus...

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    BFR193WH6327XTSA1
    BFR193WH6327XTSA1

    2726103

     
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    INFINEON

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

    TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:580mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:70hFE; Boîtier de transis

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    2432719

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

    MOSFET, P CH, -30V, -2A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de tran

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    BAT60AE6327HTSA1
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    2432679

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, AEC-Q101, Une, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C

    DIODE SCHOTTKY 3A 10V SOD-323; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement max..:85°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nombre de broches:2Broche(s); Type

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    8660093

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

    TRANS. MOSFET CANAL P MICRO 3 -12V -4.3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier

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    IRLML0030TRPBF
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    1791366

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N CH, 30V, 5.3A, SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transist

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    Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

    MOSFET, N CH, 30V, 1.4A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.119ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transi

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    1791568

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET, N CH, 30V, 2.7A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor

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