Semiconducteurs - Composants discrets

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BSS138NH6327XTSA2
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2432717

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal N, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

MOSFET, N CH, 60V, 0.23A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transist

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    BC847CE6327HTSA1
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    2432696

    INFINEON

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 250 MHz, 330 mW, 100 mA, 110 hFE

    TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110hFE; Type de boîtier de

    50 037 En stock

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    BA89202VH6327XTSA1
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    2725715

    INFINEON

    Diode PIN / RF, Une, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 broches, 0.85 pF

    DIODE PIN, AECQ101, 35V, 0.1A, SC-79; Configuration diode:Une; Résistance @ If:0.36ohm; Tension, claquage Vbr:35V; Type de boîtier de diode:SC-79; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.85pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande décou

    45 000 En stock

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    BSS84PH6327XTSA2
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    1056526

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

    TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-170mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier d

    125 706 En stock

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    1056526RL en Mise en bobine

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    BAT5403WE6327HTSA1
    BAT5403WE6327HTSA1

    2725758

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, Une, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY AEC-Q101 30V SOD-323; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nombre de broches:2Bro

    29 970 En stock

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    BCR112E6327HTSA1
    BCR112E6327HTSA1

    2443489

    INFINEON

    Transistor simple bipolaire (BJT), 50 V

    TRANSISTOR AF NUMERIQUE; Polarité transistor:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:-; Nombre de broche

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    BSS223PWH6327XTSA1
    BSS223PWH6327XTSA1

    2617469

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

    MOSFET CANAL P -20V, -0.39A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-390mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.7ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier

    28 074 En stock

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    BB639CE7904HTSA1
    BB639CE7904HTSA1

    2480615

    INFINEON

    Diode à capacité variable, 2.75 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 broches

    DIODE, VARICAP, 2.75PF, 0.02A, SOD-323; Capacité max. Cd @ Vr F:2.75pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:30V; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nbre de broches:2 broches; Type de packaging:Bande découpée; Ga

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    IRLML6344TRPBF
    IRLML6344TRPBF

    1857299

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 30 V, 22 mohm, 4.5 V, 800 mV

    MOSFET CANAL N 30V 6.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SO

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    1857299RL en Mise en bobine

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    BSS316NH6327XTSA1
    BSS316NH6327XTSA1

    2432720

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

    MOSFET, N CH, 30V, 1.4A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.119ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transi

    23 488 En stock

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    IRF3708PBF
    IRF3708PBF

    8648158

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

    TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 62A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transi

    22 993 En stock

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    Pièce

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    BAT60AE6327HTSA1
    BAT60AE6327HTSA1

    2432679

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, AEC-Q101, Une, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C

    DIODE SCHOTTKY 3A 10V SOD-323; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement max..:85°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nombre de broches:2Broche(s); Type

    21 798 En stock

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    2432679RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,263 € 25+ 0,221 € 100+ 0,133 € Plus...

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    BAT6404E6327HTSA1
    BAT6404E6327HTSA1

    2432680

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, AEC-Q101, Simple paire en série, 40 V, 120 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY 0.12A 40V SOT-23; Configuration diode:Simple paire en série; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nombre de

    21 277 En stock

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    2432680RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,131 € 25+ 0,127 € 100+ 0,096 € Plus...

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    BAS4007E6327HTSA1
    BAS4007E6327HTSA1

    2725748

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, Isolée double, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C

    DIODE SCHOTTKY AEC-Q101 40V SOT-143; Configuration diode:Isolée double; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOT-143; Nombre de broch

    21 000 En stock

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    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,49 € 10+ 0,29 € 100+ 0,139 € Plus...

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    BAS3010A03WE6327HTSA1
    BAS3010A03WE6327HTSA1

    2432677

    INFINEON

    Diode Schottky faible signal, AEC-Q101, Une, 30 V, 1 A, 470 mV, 10 A, 125 °C

    RECTIFIER, SCHOTTKY, 1A, 30V, SOD-323; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement max..:125°C; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nombre de broches:2Broche

    19 752 En stock

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    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,302 € 25+ 0,251 € 100+ 0,128 € Plus...

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    IRLML6244TRPBF
    IRLML6244TRPBF

    1864517

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

    MOSFET, N CH, 20V, 6.3A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:0.9V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor

    18 690 En stock

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    1864517RL en Mise en bobine

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    IRLML0060TRPBF
    IRLML0060TRPBF

    1783927

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET CANAL N 60V. 2.7A. SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transis

    29 958 En stock

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  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 26 mai 2017
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 9 juin 2017
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 26/06/17

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    Suggestion de remplacement pour :1783927
    1783927RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,481 € 25+ 0,293 € 100+ 0,235 € Plus...

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    BSS83PH6327XTSA1
    BSS83PH6327XTSA1

    2432722

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

    MOSFET, P CH, -60V, -0.33A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-330mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de

    18 399 En stock

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 12/06/17

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,249 € 25+ 0,24 € 100+ 0,10 € Plus...

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    BFP183E7764HTSA1
    BFP183E7764HTSA1

    2726095

    INFINEON

    RF TRANSISTOR

    RF TRANSISTOR; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)

    18 000 En stock

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    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,44 € 10+ 0,33 € 100+ 0,181 € Plus...

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    BFR193WH6327XTSA1
    BFR193WH6327XTSA1

    2726103

    INFINEON

    RF TRANSISTOR, HIGH LINEARITY SI-6GHZ

    RF TRANSISTOR, HIGH LINEARITY SI-6GHZ; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)

    18 000 En stock

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    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,44 € 10+ 0,31 € 100+ 0,142 € Plus...

    Commander
    BGX50AE6327HTSA1
    BGX50AE6327HTSA1

    2432683

    INFINEON

    Diode de redressement de pont, AEC-Q101, Une, 50 V, 140 mA, SOT-143, 1.3 V, 4 Broche(s)

    BRIDGE RECT, SINGLE, 0.14A, 50V, SOT-143; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:140mA; Type de boîtier de pont redresseur:SOT-143; Tension, Vf max..:1.3V; Nombre de broches:4Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type d

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    IRLML6401TRPBF
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    1463267

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

    TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transisto

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    8660093

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV

    TRANS. MOSFET CANAL P MICRO 3 -12V -4.3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier

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    BAR8802VH6327XTSA1
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    2443504

    INFINEON

    Diode PIN / RF, AEC-Q101, Une, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 broches, 0.3 pF

    DIODES RF; Configuration diode:Une; Résistance @ If:0.6ohm; Tension, claquage Vbr:80V; Type de boîtier de diode:SC-79; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.3pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande découpée; Température de fonctionn

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    INFINEON

    TV AND SAT TUNER DIODES

    TV AND SAT TUNER DIODES; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); MSL:MSL 1 - Illimité

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